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　　凯发k8·[中国]官方网站凯发K8国际首页◈◈★。凯发国际官网首页◈◈★，K8天生赢家一触发◈◈★。k8凯发·(中国区)天生赢家一触即发◈◈★，半导体◈◈★，天生赢家 一触即发◈◈★，半导体压力传感器可分为两类◈◈★，一类是根据半导体PN结（或肖特基结）在应力作用下凯发k8娱乐官网app◈◈★，I-υ特性发生变化的原理制成的各种压敏二极管或晶体管◈◈★。这种压力敏感元件的性能很不稳定福永◈◈★，未得到很大的发展◈◈★。另一类是根据半导体压阻效应构成的传感器◈◈★，这是半导体压力传感器的主要品种福永◈◈★。早期大多是将半导体应变片粘贴在弹性元件上◈◈★，制成各种应力和应变的测量仪器◈◈★。60年代◈◈★，随着半导体集成电路技术的发展◈◈★，出现了由扩散电阻作为压阻元件的半导体压力传感器◈◈★。这种压力传感器结构简单可靠◈◈★，没有相对运动部件福永◈◈★，传感器的压力敏感元件和弹性元件合为一体◈◈★，免除了机械滞后和蠕变◈◈★，提高了传感器的性能◈◈★。

　　半导体的压阻效应 半导体具有一种与外力有关的特性◈◈★，即电阻率（以符号ρ 表示）随所承受的应力而改变福永◈◈★，称为压阻效应◈◈★。单位应力作用下所产生的电阻率的相对变化◈◈★，称为压阻系数◈◈★，以符号π表示◈◈★。以数学式表示为 墹ρ/ρ=πσ

　　式中σ 表示应力◈◈★。半导体电阻承受应力时所产生的电阻值的变化（墹R/R）◈◈★，主要由电阻率的变化所决定◈◈★，所以上述压阻效应的表达式也可写成 墹R/R=πσ

　　在外力作用下◈◈★，半导体晶体中产生一定的应力（σ）和应变（ε）◈◈★，它们之间的相互关系福永◈◈★，由材料的杨氏模量（Y）决定◈◈★，即 Y=σ/ε

　　压阻系数或灵敏因子是半导体压阻效应的基本物理参数◈◈★。它们之间的关系正如应力与应变之间的关系一样◈◈★，由材料的杨氏模量决定◈◈★，即 G=πY

　　由于半导体晶体在弹性上各向异性◈◈★，杨氏模量和压阻系数随晶向而改变◈◈★。半导体压阻效应的大小凯发k8娱乐官网app◈◈★，还与半导体的电阻率密切有关◈◈★，电阻率越低灵敏因子的数值越小◈◈★。扩散电阻的压阻效应由扩散电阻的晶体取向和杂质浓度决定凯发k8娱乐官网app◈◈★。杂质浓度主要是指扩散层的表面杂质浓度◈◈★。

　　常用的半导体压力传感器选用N 型硅片作为基片◈◈★。先把硅片制成一定几何形状的弹性受力部件◈◈★，在此硅片的受力部位◈◈★，沿不同的晶向制作四个P型扩散电阻◈◈★，然后用这四个电阻构成四臂惠斯登电桥◈◈★，在外力作用下电阻值的变化就变成电信号输出◈◈★。这个具有压力效应的惠斯登电桥是压力传感器的心脏◈◈★，通常称作压阻电桥（图1）◈◈★。压阻电桥的特点是◈◈★：①电桥四臂的电阻值相等（均为R0）◈◈★；②电桥相邻臂的压阻效应数值相等◈◈★、符号相反◈◈★；③电桥四臂的电阻温度系数相同◈◈★，又始终处于同一温度下◈◈★。图中R0为室温下无应力时的电阻值◈◈★；墹RT为温度变化时由电阻温度系数（α）所引起的变化◈◈★；墹Rδ为承受应变（ε）时引起的电阻值变化◈◈★；电桥的输出电压为 u=I0墹Rδ=I0RGδ （恒流源电桥）

　　式中I0为恒流源电流◈◈★， E为恒压源电压◈◈★。压阻电桥的输出电压直接与应变（ε）成正比◈◈★，与电阻温度系数引起的RT无关凯发k8娱乐官网app◈◈★，这使传感器的温度漂移大大减小◈◈★。半导体压力传感器中应用最广的是一种检测流体压力的传感器◈◈★。其主要结构是全部由单晶硅材料构成的膜盒（图2）◈◈★。膜片制成杯状◈◈★，杯底是承受外力的部分◈◈★，压力电桥就制作在杯底上面◈◈★。用同样的硅单晶材料制成圆环台座◈◈★，然后把膜片粘结在台座上凯发k8娱乐官网app◈◈★。这种压力传感器具有灵敏度高◈◈★、体积小◈◈★、固体化等优点◈◈★，已在航空◈◈★、宇宙航行◈◈★、自动化仪表和医疗仪器等方面得到广泛应用◈◈★。